156
Глава 5.
шланг помещались два диполя с сосредоточенными параметрами
- излучающий, соединенный через коаксиальный кабель с генератором синусоидальных колебаний Г, и приемный, соединенный через коаксиальный кабель с приемником П - диодным мостом с микроамперметром (рис. 5.15). Шланг с водой имеет паразитную емкость Спар со стенками помещения.
Рис. 5.15. Схема эксперимента по проверке продольного распространения излучения диполя с сосредоточенными параметрами: 1 -
резиновый шланг, наполненный подсоленной водой; 2 - электроды излучающего диполя; 3 - электроды приемного диполя
Включение электродов через коаксиальные кабели исключило возможность появления каких-либо паразитных контуров.
При изменении расстояния d между диполями в связи с не разветвленностью тока сигнал в приемнике не должен меняться, по крайней мере, до тех пор, пока сопротивление канала не окажется соизмеримым с сопротивлением паразитных емкостей. Это происходит на некотором расстоянии d, так как сопротивление воды в канале и проводимость паразитной емкости Спар пропорциональны отношению d/5. На рис. 5.16 приведены полученные зависимости. Результат полностью подтвердил ожидания. При этом выяснилось, что увеличение солености воды, т. е. увеличение ее проводимости увеличивает полезный сигнал и увеличивает зону постоянной амплитуды выходного сигнала.
Электромагнитное поле
157
О
D/5
Рис. 5.16. Зависимость сигнала приемника от расстояния между диполями при продольном излучении энергии
В дальнейшем следует проверить факт роста затухания продольной волны при различных значения активной проводимости среды. Следует иметь в виду, что затухание в полупроводящей среде продольной волны может быть также следствием того, что энергия каждой полуволны фактически самостоятельна, поэтому причина затухания продольной волны в полупроводящей среде может быть той же, что и у поперечных волн.
Во втором эксперименте использовался диполь с плоскими электродами с фиксацией напряженности и электрической энергии вторым диполем. Эксперимент ставился в тонком плоском слое полупроводящей среды.
На рис. 5.17 показана диаграмма распространения электрического поля.
Рис. 5.17. Распространение электрического поля диполем с сосредоточенными параметрами в тонком слое полупроводящей среды.
Продольная составляющая больше поперечной составляющей поля
